L'invention concerne un procédé de fabrication de tranche de silicium permettant de supprimer des défauts d'agrégation de P (défauts de Si-P) et de supprimer les SF de films épitaxiaux. La présente invention comprend : une étape consistant à soumettre un substrat produit à partir d'un lingot monocristallin de Si à une finition miroir, le substrat contenant …
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